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VDS20V足夠了,因為輸入電壓與電池電壓的差遠沒有40V(兩個MOSFET串聯)

功耗=ID*ID*RDS(ON)其實功耗與發熱是同一個概念

選用MOSFET,最主要看以下參數1.BVDSS2.BVGSS3.ID4.RDS(ON)5.QG最后就是,最好流一定裕量

電路不清楚,沒法解釋,最好上傳個電路圖

這樣的MOSFET,其實很多,我們公司就有,關鍵要看RDS(ON),這個參數越小越好,小的話,可以提高效率.請參閱詳情Feature:VDS(V)=20V,ID=6ARDS(ON)=21mΩ@VGS=4.50VRDS(ON)=22mΩ@VGS=3.85VRDS(ON)=26mΩ@VGS=2.50V

開始時從體二極管流(因為二極管導通比MOSFET快),當MOSFET導通時,二極管關閉(因為MOSFET的導通壓降比二極管小),二極管被嵌位(二極管關閉)

就我的理解,MOSFET的損壞分電流損壞,電壓損壞兩種電流損壞電流損壞就是MOSFET過的電流超過它的額定值ID,電壓損壞電壓損壞就是MOSFET的電壓超過它的額定值BVDSS,BVGSS其實最關鍵的就是過功率P=V*I大家可以參考“安全工作區”只要在安全工作區以內,一般MOSFET都不會有問題,最好留一定的裕量值得注意的就是MOSFET很容易受ESD的影響

我們公司有這樣的MOSFET,請參閱!FeaturesVDS60V,VGS20V,ID75A,RDS(ON)