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以上就是本次測評的全部內(nèi)容，感謝Rohm公司和電源網(wǎng)能提供這次機會！限于時間原因，還有很多想做的測試沒有完成，如果有機會未來也會在本帖繼續(xù)更新，也歡迎大家回帖交流。以下是總結(jié)：1. 這是目前我見到的功能最強大的SiC器件評估板，各種保護、緩沖、邏輯控制都做的很好。可以測試多種器件，多種電路，多種驅(qū)動方案，PCB做工、用料扎實，PCB的測試點設計非常人性化，手冊內(nèi)容很全面。2. 羅姆公司的SiC器件表現(xiàn)出了很高的可靠性，表現(xiàn)出了強大的性能，相比于Si器件有很大提升，必將給整個行業(yè)帶來變革。3. 可以考慮在評估板包裝中適當附送一些宣傳資料，可能更便于推廣SiC器件，比如Rohm的官網(wǎng)其實有許多技術(shù)文章，可以適當引用。4. 可以考慮附送一些備用件，有些二極管和端子并不是很容易買到，如果能有替換的將會更加方便。5. 最小270nS的死區(qū)時間可能對SiC器件來說還是有些大了，這可能是受到驅(qū)動芯片等電路延時的限制。6. 器件拆裝不太方便，一般為了減小雜散電感，器件管腳必須插到底，但是這樣拆卸會比較困難。希望能提供拆卸指導或者使用其他安裝方式。7. 本次沒有TO247-4封裝的器件是一個小小的遺憾。最后再次感謝Rohm公司和電源網(wǎng)能提供這次機會！

本評估板為半橋拓撲，功能非常豐富，可以實現(xiàn)高側(cè)上管雙脈沖，低側(cè)下管雙脈沖，Boost，同步整流Buck等拓撲。板子支持單路PWM脈沖輸入，邏輯元件會自動轉(zhuǎn)換為雙路脈沖，并且添加死區(qū)。死區(qū)時間可通過更換貼片電阻調(diào)整，最小可設置為270nS。本次測試選擇同步整流Buck拓撲，借用手冊中的原理圖：[圖片]使用SCT3080KL開關(guān)管，外接1mH的高磁通鐵鎳磁芯電感，輸入電壓400V，使用100R電阻作為負載。PWM單路50%占空比輸入，開關(guān)頻率測試了兩個點，分別為100kHz，輸出電壓196V；和板子的標稱頻率500kHz，輸出電壓109V。實驗裝置如下：[圖片]使用了云母片作為SiC管與散熱器的絕緣，可能用陶瓷片散熱會更好些……本次實驗使用了100MHz特性較差的差分探頭，所以門極電壓Ugs的波形可能不太好，僅供參考。首先驗證驅(qū)動的情況，如下圖分別為100kHz和500kHz開關(guān)頻率時的門極驅(qū)動波形，一通道黃色為下管驅(qū)動，二通道綠色為上管驅(qū)動。死區(qū)時間均使用默認配置，可以看到死區(qū)沒有問題，但死區(qū)時間稍有不同。500kHz時上下管驅(qū)動稍有不對稱。[圖片][圖片]通功率電前的器件溫度情況：[圖片]接下來開始通電測試，本次實驗相對保守，使用的電壓電流功率都比較小。100kHz時的開關(guān)情況如下，其中黃色是上管驅(qū)動Ugs，由于探頭共模抑制能力較差，所以波形不好，實際的Ugs可以參考上文的雙脈沖測試。綠色為Uds，紫色為電感電流：[圖片]運行3分鐘后發(fā)熱情況如下，器件溫度由16度上升至33度：[圖片]接下來是500kHz時的情況，探頭定義完全一致，可以看到電感電流的波動范圍很小[圖片]3分鐘溫度已經(jīng)來到80度，如此高的頻率開關(guān)損耗還是比較大的。[圖片]該評估板開關(guān)頻率真的能跑到500kHz，很佩服！本次測試功率較小，自然冷卻。實際大功率高頻使用時需要配備足夠的散熱裝置。

碳化硅器件的測試對測試設備提出了很高的要求，推薦使用無源探頭搭配高帶寬示波器。有興趣的朋友可以參考FredWang教授的《CharacterizationofWideBandgapPowerSemiconductorDevices》。由于實驗室條件的限制，這里使用200MHz的示波器和差分探頭進行測試。為了盡可能降低Ugs受到的干擾，這里使用自制的接頭焊接在管腳上，這樣就不需要使用探頭夾了，減小環(huán)路面積和信號傳輸距離。[圖片]其實這樣還是很容易受干擾……SiC器件的測試結(jié)果受設備和手法的影響很大，所以本帖的波形僅供參考。進行雙脈沖測試，所有探頭都經(jīng)過了延時補償。外接400微亨的電感，同樣受限于設備，測試電流均為20A……對于650V耐壓的管子使用400V電壓測試，對于1200V的管子使用800V電壓測試，門極電阻均為3.3R。首先是SCT3080KL。1通道黃色為門極驅(qū)動Ugs波形；2通道綠色為漏源電壓Uds；3通道紫色為管子電流I；數(shù)學運算1為電壓乘電流，也即瞬時功率；數(shù)學運算2為運算1的積分，也就是損耗。雖然不一定準，但可以用來快速評估開關(guān)損耗。左側(cè)Zoom1是關(guān)斷波形，右側(cè)Zoom2是開通波形。圖中光標對應了數(shù)學運算2的結(jié)果，差值即為開通損耗。[圖片]下圖為SCT3060AL[圖片]下圖為SCT3040KL[圖片]下圖為SCT3030AL[圖片]最后，使用ST公司的STW21N90K5作為對比，這是一只900V18.5A的硅管，個人認為屬于性能較好的硅管。在相同條件下進行測試，電壓400V電流20A，門極電阻3.3R，對比并不公平，結(jié)果僅供參考。可以看到開通時會產(chǎn)生劇烈的振蕩，這只硅管并不應該被驅(qū)動到這么快。[圖片]

板子基本測完了，昨天聽說有些朋友的板子可能有故障，只有輸入沒有輸出，今天趕緊更新一下評估板配置部分，供大家參考。一開始上電的時候我也遇到了一些問題，不過只要根據(jù)用戶手冊的說明，基本都能搞好，用戶手冊的內(nèi)容很詳細！下圖是連接控制電時的照片，左側(cè)是我自行制作的轉(zhuǎn)接板，把握常用的DSP開發(fā)板的信號轉(zhuǎn)接過來，提供15V輔電和5V的PWM驅(qū)動信號。下方的LS_FAULT紅色指示燈亮，說明低側(cè)驅(qū)動故障，根據(jù)手冊，常見原因包括低側(cè)柵源極短路，柵極驅(qū)動電源UVLO，驅(qū)動信號與輸入邏輯信號不匹配，10微秒以上脈寬及30A以上電流。 [圖片]因此需要逐步調(diào)整。首先調(diào)整驅(qū)動電壓，如下圖所示，調(diào)整電位器可以調(diào)整MOSFET驅(qū)動的正電壓。正壓出廠默認在18V左右，可以在10.35V-20.56V間調(diào)整，UVLO保護在12V左右。負壓可以通過跳帽在0V和-2V間切換，如果需要其他電壓，就需要焊接齊納二極管了。這里根據(jù)Rohm SiC手冊的推薦值，將驅(qū)動設置在18V/0V。考慮到需要10微秒以上寬度的PWM信號，這里根據(jù)手冊將R359更換為2.2k的電阻。[圖片]本開發(fā)板可以測試TO247-4和TO247-3封裝的器件，但是測試TO247-3封裝時需要自行補焊兩個0R電阻，分別是R77和R177[圖片]該評估板器件明明非常的人性化，基本上一個器件編號的百位加1就是對應的同功能器件，比如R77是低側(cè)的電阻，R177就是高側(cè)的。評估板還預留了許多RF連接器接口，可以用來測量Ugs電壓等，可以在貿(mào)澤電子搜索73415-2061找到相應的連接器。樓主沒有研究過這類連接器，所以就不評測了。接線來還需要焊接MOSFET，確保驅(qū)動芯片的輸出不懸空，避免驅(qū)動信號與輸入邏輯信號不匹配。完成以上步驟后，本樓第一張圖中的紅燈也會熄滅（可能需手工按鍵復位），PWM波就可以正常的發(fā)出來了，如下圖所示。[圖片]板子非常的厚實，做工扎實，不過也導致更換MOSFET的時候非常困難……手冊中推薦的散熱器并沒有買到，這里隨便找了一個，然后打孔，攻絲……[圖片]明日繼續(xù)更新。

尊敬的主辦方：本人是在校博士研究生，碩士研究方向為異步、永磁電機驅(qū)動器控制，博士研究方向為車載充電機設計，在電機傳動和電源兩個方面均有裝置設計、測試經(jīng)驗。申請理由如下：1. 目前所在實驗室有1000V10kW直流電源，200MHz示波器，200MHz差分電壓探頭，羅氏線圈探頭等測試設備，可以滿足SiC器件的測試和評估需求。2. 已經(jīng)自行設計過雙脈沖測試平臺并完成了對Cree c2m0040120d，Rohmsct3040等SiC、Si器件的對比測試，但由于使用了自行設計的PCB，在雜散電感控制和驅(qū)動選型等方面仍有待提高，因此想?yún)⒖枷冗M的工業(yè)設計方案。3. 正在進行的橫向項目需要設計新的驅(qū)動電路，目前使用的驅(qū)動芯片為TI UCC21521，暫未嘗試過使用Rohm的芯片，想借此機會接觸了解相關(guān)產(chǎn)品。4. 已經(jīng)完成的橫向項目需要一個SiC器件作為對比目標，想借此機會了解Rohm的SiC器件。試用規(guī)劃如下：1.根據(jù)提供的使用手冊測試評估板的基本功能，復現(xiàn)手冊中的測試工況。2.將在相同的條件下對兩款器件進行測試，第一款為Rohm評估板的器件，另一款為Si MOSFET，ST公司的STW21N90K5，900V18A，這個器件代表了Si器件的較高水平。將通過本測試對比SIC器件與較先進Si器件的開關(guān)性能。3.如果可能，使用評估板進行雙脈沖測試，并與我自行設計的雙脈沖板在相同的工況下進行對比；4.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。