申請(qǐng)理由:目前產(chǎn)品使用的是1500V的mos，電源輸入范圍最大1500V，使用的雙管反激，電壓沒(méi)有裕量，且高壓段損耗較大，擬測(cè)試1700Vsic性能及可替代性。 試用規(guī)劃:測(cè)試評(píng)估板驅(qū)動(dòng)及各點(diǎn)波形，測(cè)試各工作點(diǎn)效率，測(cè)試溫升情況。移植到原有雙反激電源上測(cè)試工作情況及波形，評(píng)估可替代性。

申請(qǐng)理由：1. 公司在研發(fā)應(yīng)用SiC的MOS

                 2.三相的電源應(yīng)用，搭配用1700V的碳化硅，竟然這么強(qiáng)悍，有些好奇

                 3.為以后產(chǎn)品上應(yīng)用打個(gè)基礎(chǔ)

試用規(guī)劃：1.用示波器了解，各個(gè)驅(qū)動(dòng)MOS的驅(qū)動(dòng)電壓和電流波形,證明SiC可以有1700V的應(yīng)用

                2.測(cè)試該板子的電氣相關(guān)的參數(shù)

                3.學(xué)習(xí)板子的Layout設(shè)計(jì) ，還有安規(guī)，傳導(dǎo)，輻射設(shè)計(jì)

       我的申請(qǐng)理由：

      1. 有在用其他品牌的SICFET，但在相同工況下（電壓、頻率、功率相同）對(duì)比900V的MOSFET效率并沒(méi)有提升，所以希望能用羅姆也驗(yàn)證一下。

     2. 想確認(rèn)再500KHZ頻率下SICFET的優(yōu)勢(shì)，比如反向恢復(fù)損耗和開關(guān)損耗。

       我的試用規(guī)劃是：

       1. 先采用雙脈沖法測(cè)試一下SICFET的動(dòng)態(tài)參數(shù)，包括：反向恢復(fù)，DV/DT和DI/DT速率。

       2. 實(shí)測(cè)工作波形看看SICFET在高頻下的優(yōu)勢(shì)，包括：開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗，以及溫升特性。

尊敬的主辦方：

本人是在校博士研究生，碩士研究方向?yàn)楫惒健⒂来烹姍C(jī)驅(qū)動(dòng)器控制，博士研究方向?yàn)檐囕d充電機(jī)設(shè)計(jì)，在電機(jī)傳動(dòng)和電源兩個(gè)方面均有裝置設(shè)計(jì)、測(cè)試經(jīng)驗(yàn)。

申請(qǐng)理由如下：

1. 目前所在實(shí)驗(yàn)室有1000V 10kW直流電源，200MHz示波器，200MHz差分電壓探頭，羅氏線圈探頭等測(cè)試設(shè)備，可以滿足SiC器件的測(cè)試和評(píng)估需求。

2. 已經(jīng)自行設(shè)計(jì)過(guò)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)并完成了對(duì)Cree c2m0040120d，Rohm sct3040等SiC、Si器件的對(duì)比測(cè)試，但由于使用了自行設(shè)計(jì)的PCB，在雜散電感控制和驅(qū)動(dòng)選型等方面仍有待提高，因此想?yún)⒖枷冗M(jìn)的工業(yè)設(shè)計(jì)方案。

3. 正在進(jìn)行的橫向項(xiàng)目需要設(shè)計(jì)新的驅(qū)動(dòng)電路，目前使用的驅(qū)動(dòng)芯片為TI UCC21521，暫未嘗試過(guò)使用Rohm的芯片，想借此機(jī)會(huì)接觸了解相關(guān)產(chǎn)品。

4. 已經(jīng)完成的橫向項(xiàng)目需要一個(gè)SiC器件作為對(duì)比目標(biāo)，想借此機(jī)會(huì)了解Rohm的SiC器件。

試用規(guī)劃如下：

1.根據(jù)提供的使用手冊(cè)測(cè)試評(píng)估板的基本功能，復(fù)現(xiàn)手冊(cè)中的測(cè)試工況。

2.將在相同的條件下對(duì)兩款器件進(jìn)行測(cè)試，第一款為Rohm評(píng)估板的器件，另一款為Si MOSFET，ST公司的STW21N90K5，900V18A，這個(gè)器件代表了Si器件的較高水平。將通過(guò)本測(cè)試對(duì)比SIC器件與較先進(jìn)Si器件的開關(guān)性能。

3.如果可能，使用評(píng)估板進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，并與我自行設(shè)計(jì)的雙脈沖板在相同的工況下進(jìn)行對(duì)比；

4.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

我的申請(qǐng)理由：1.測(cè)試過(guò)很多MOSFET的DCDC電路，SiC器件的MOS還沒(méi)測(cè)試過(guò)  2.其他家的Demo板也測(cè)試過(guò)，對(duì)于方案引入和評(píng)估有較完備的測(cè)試流程   3.接觸開關(guān)電源有一段時(shí)間，興趣濃厚，很想學(xué)習(xí)了解

我的試用規(guī)劃是：1.測(cè)試demo板基本的電源指標(biāo)  2.結(jié)合手冊(cè)對(duì)比驗(yàn)證SiC的內(nèi)部參數(shù)，環(huán)境有限盡量多測(cè)一些，看一下管子的性能   3.燒機(jī)測(cè)試，測(cè)一些管子的極限狀態(tài)。 整理數(shù)據(jù)和表格，與大家分享。

申請(qǐng)理由：

1.一個(gè)龐大的產(chǎn)品玩起來(lái)還是沒(méi)有 一塊專門的模塊學(xué)的明白

2.頭一次接觸這個(gè)系列的，想多學(xué)習(xí)一下

試用規(guī)劃：

1.測(cè)試相關(guān)的參數(shù)，查資料學(xué)習(xí)

2.分析研究原理圖，多學(xué)習(xí)

申請(qǐng)理由：1. 之前沒(méi)有用過(guò)SiC的芯片，想了解下性能。

                 2.后續(xù)電源開發(fā)選型會(huì)考慮這類芯片。

                 3.為后續(xù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)提前儲(chǔ)備知識(shí)。

試用規(guī)劃：1.測(cè)試SiC的主要指標(biāo)性能。

               2.原理設(shè)計(jì)理解。

申請(qǐng)理由：1.學(xué)習(xí)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的SiC電路。 2.想看看這個(gè)DEMO板的性能。 3.提升自己開發(fā)設(shè)計(jì)技術(shù)。 試用規(guī)劃：1.測(cè)試SiC的指標(biāo)性能。 2.可以改造用在后續(xù)電源設(shè)計(jì)中。

申請(qǐng)理由：

1. 之前沒(méi)有用過(guò)SiC的芯片，了解與GaN的性能區(qū)別。

2.方便后續(xù)電源選型及應(yīng)用。

3.提升產(chǎn)品認(rèn)識(shí)及技能。

試用規(guī)劃：

1.測(cè)試SiC的主要指標(biāo)性能。

2.測(cè)試高溫。高功率，高壓，高頻特性。

3.了解穩(wěn)定性及emi

尊敬的主辦方：

首先介紹一下自己，本人在學(xué)校實(shí)驗(yàn)室已3+年，有著豐富的電源方面經(jīng)驗(yàn)。曾做過(guò)很多企業(yè)項(xiàng)目，包括高效率升壓和降壓轉(zhuǎn)化、3600W大功率逆變等，自己也單獨(dú)做過(guò)一些項(xiàng)目(1200W并網(wǎng)、高壓電離氧氣)。帶領(lǐng)小組也參加過(guò)很多比賽，比如:全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)大賽、互聯(lián)網(wǎng)＋、iCAN國(guó)際大賽等。我們實(shí)驗(yàn)室也時(shí)長(zhǎng)用貴方公司的產(chǎn)品，所以對(duì)貴公司的產(chǎn)品也有一定的了解，我們實(shí)驗(yàn)室常用到貴公司產(chǎn)的運(yùn)放、MOS管、二極管等，感覺性能非常棒，功率損耗很小。

我的申請(qǐng)理由:

1、我對(duì)電源方面特別感興趣，尤其是AC-DC，我曾做過(guò)，都是一些小功率(500W之內(nèi))效率最高不超過(guò)93％，所以很想能有機(jī)會(huì)試用貴公司的SiC-MOSFET 評(píng)估板P02SCT3040KR-EVK-001 能夠從中得到學(xué)習(xí)。

2、我曾用過(guò)貴公司的生產(chǎn)的一些元器件，性能一般都是特別棒，所以想進(jìn)一步試一試貴公司的這一款產(chǎn)品，對(duì)這款產(chǎn)品的介紹很感興趣，很期待能夠試用該產(chǎn)品的性能。

3、我想對(duì)比一下貴公司生產(chǎn)的該產(chǎn)品和其他公司生產(chǎn)的AC-DC的區(qū)別，功率、效率以及帶感性容性程度。

我的試用規(guī)劃是:

1、根據(jù)評(píng)估板給定的參數(shù)測(cè)其對(duì)應(yīng)的功率、效率、電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、帶載容性感性能力、溫漂系數(shù)、文波等。

2、對(duì)電路進(jìn)行研究，找出所用電路原理。以及用 Rohm評(píng)估板的器件與Si MOSFET進(jìn)行測(cè)試對(duì)比，通過(guò)本測(cè)試對(duì)比SIC器件與較先進(jìn)Si器件的開關(guān)性能。

3、進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，與其它公司的產(chǎn)品進(jìn)行對(duì)比，對(duì)比兩種產(chǎn)品的差異，以及動(dòng)態(tài)特性的差異，還有MOS管在不同電路下的影響程度。

4、最后將所有的測(cè)試結(jié)果以及試用心得發(fā)布到本網(wǎng)站上。

希望貴公司能夠給一次試用機(jī)會(huì)。

尊敬的主辦方：首先，很感謝有這樣的活動(dòng)可以諸多愛好者更多的去了解熟悉SiC MOSFET的發(fā)展以及在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中的現(xiàn)狀。本人剛博士畢業(yè)半年，現(xiàn)為高校教師，從事電力電子系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)與故障診斷相關(guān)研究，前期主要針對(duì)Si MOSFET以及IGBT開展了大量相關(guān)的器件特性分析、可靠性評(píng)估、在線狀態(tài)監(jiān)測(cè)等研究，積累了豐富的相關(guān)理論和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)。SiC MOSFET目前已在電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電系統(tǒng)等領(lǐng)域得到大量關(guān)注，羅姆公司一直處于半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位，本人現(xiàn)階段主要在開展SiC MOSFET并網(wǎng)逆變器健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)研究，重點(diǎn)是SiC MOSFET的特性分析與參數(shù)監(jiān)測(cè)，這也是本人想申請(qǐng)?jiān)撛u(píng)估板的原因之一，也希望借此取得的相關(guān)研究或分析結(jié)果可以進(jìn)一步促進(jìn)新型半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展。

我的申請(qǐng)理由如下：（1）實(shí)驗(yàn)室具備相關(guān)的泰克示波器（帶PWR模塊可在線監(jiān)測(cè)導(dǎo)通電阻）、電子負(fù)載等儀器，分析SiC MOSFET在特定工況下器件的開關(guān)特性與損耗，以及驅(qū)動(dòng)電路的相關(guān)設(shè)計(jì)方案；（2）實(shí)驗(yàn)室具備高溫箱等環(huán)境實(shí)驗(yàn)設(shè)備，分析高溫環(huán)境下，SiC MOSFET相關(guān)參數(shù)的變化特性，如Vth,Rdson等。（3）基于實(shí)驗(yàn)室具備的FPGA+DSP開發(fā)板，試圖開發(fā)一種可在線原位監(jiān)測(cè)SiC MOSFET健康參數(shù)的測(cè)試平臺(tái)，以便后續(xù)為光伏逆變器的PHM（故障預(yù)測(cè)與健康管理）奠定基礎(chǔ)。

我的試用規(guī)劃如下：（1）測(cè)試SiC MOSFET評(píng)估版在室溫條件下的開關(guān)特性，并與傳統(tǒng)IGBT進(jìn)行對(duì)比，通過(guò)改變工況條件，分析開關(guān)管導(dǎo)通與斷開階段，器件振鈴效應(yīng)、拖尾電流現(xiàn)象以及功率損耗；

（2）將評(píng)估板相關(guān)測(cè)試點(diǎn)引出至高溫箱外部（便于測(cè)試用），在不同溫度工作環(huán)境下，測(cè)試評(píng)估板的相關(guān)特性參數(shù)以及SiC MOSFET特征參數(shù) Vth,Rdson的變化趨勢(shì)，從而間接反映開關(guān)管的溫度特性及損耗。

（3）通過(guò)功率循環(huán)測(cè)試實(shí)驗(yàn)，加速SiC MOSFET退化，分析可表征該器件健康狀態(tài)的特征參數(shù)，基于實(shí)驗(yàn)室已有開發(fā)平臺(tái)，設(shè)計(jì)一種可在線監(jiān)測(cè)該器件參數(shù)的測(cè)試電路/平臺(tái)，為后續(xù)光伏發(fā)電系統(tǒng)PHM提供技術(shù)保障。

 

最后，感謝主辦方、感謝電源網(wǎng)等支持該活動(dòng)的有心人，希望有幸可以學(xué)習(xí)、研究羅姆SiC MOSFET評(píng)估板。

感謝大家對(duì)本次羅姆試用活動(dòng)的支持，目前試用活動(dòng)已進(jìn)入審核階段，為方便您第一時(shí)間得到通知，請(qǐng)您盡快完善信息，謝謝您的理解與支持！

點(diǎn)擊鏈接可直接完善信息：http://www.cubesun.cn/index.php?do=me_user_profile&op=update

尊敬的主辦方，我是電源公司一個(gè)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，目前評(píng)估板肯定是輪不到我了。看看有沒(méi)有SiC器件樣品，寄給我一些我試用下，我們自己畫板子去驗(yàn)證。謝謝

麻煩咨詢下，是不是評(píng)選結(jié)果還沒(méi)出來(lái)呢啊？ 

是啊，很期待能試用羅姆的產(chǎn)品。

請(qǐng)問(wèn)美女，試用名單出來(lái)了沒(méi)有？