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IGBT開路故障原因及其改善對策

旻旻旻

最新回復(fù)：03-29 02:28

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功率半導(dǎo)體的米勒平臺

旻旻旻

最新回復(fù)：03-29 02:30

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IGBT過電壓損壞及電路改善方法

旻旻旻

最新回復(fù)：01-19 17:10

464

初談SiC器件在儲能PCS設(shè)備中的設(shè)計方法

旻旻旻

最新回復(fù)：03-29 09:34

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旻旻旻：

電阻R5接在FB腳，通常是與光耦晶體管串聯(lián)的上拉/下拉電阻，用來把光耦電流轉(zhuǎn)換成電壓

07-20 12:36 回復(fù)

原帖：基于TOP Switch的5V/0.8A電源

旻旻旻：

 ESD防護(hù)可以有效降低外圍TVS或Y電容的需求，提升系統(tǒng)可靠性

07-20 12:29 回復(fù)

原帖：INN3370設(shè)計的兩口USB充電器

旻旻旻：

UO回到設(shè)定的基準(zhǔn)值，IC也回到對應(yīng)的工作點，占空比穩(wěn)定，電路中常見設(shè)計思路

07-20 12:15 回復(fù)

原帖：用TOP264設(shè)計的18W適配器

旻旻旻：

必須在BP引腳就近放置一個低ESR的陶瓷去耦電容，通常0.1µF或1µF，X7R材質(zhì)效果比較好

07-20 12:14 回復(fù)

原帖：用LYT4317E設(shè)計的36V、550mA的LED驅(qū)動器

旻旻旻：

負(fù)半周指變壓器副邊電壓反向，此時Q1應(yīng)導(dǎo)通以降低導(dǎo)通損耗，而非關(guān)閉

07-20 12:11 回復(fù)

原帖：Q1 穩(wěn)壓電路模塊繼電器導(dǎo)通時的電源

旻旻旻：

原邊繞組一端接母線，另一端接漏極，會導(dǎo)致開關(guān)管無法形成閉合回路，MOSFET無法導(dǎo)通

07-20 12:08 回復(fù)

原帖：InnoSwitch3-Pro芯片初級側(cè)電路

旻旻旻：

體二極管反向恢復(fù)時，反向恢復(fù)電荷Qrr被dv/dt強制抽出，產(chǎn)生高峰值電流Irr，進(jìn)而芯片局部過熱，導(dǎo)致熱擊穿

07-19 11:51 回復(fù)

原帖：MOSFET的dv/dt及失效模式解讀

旻旻旻：

這篇文章不錯，值得收藏。在電氣行業(yè)，細(xì)分到每一種產(chǎn)品，都會有自己獨特的英文歌縮寫，需要多看才會了解

07-19 11:45 回復(fù)

原帖：電路中常見的英文縮寫

旻旻旻：

初級緩沖環(huán)路如果遠(yuǎn)離變壓器，容易把高頻尖峰通過雜散電容、磁場耦合到次級或控制地

07-19 11:44 回復(fù)

原帖：InnoSwitch3-AQ 電源電路PCB元器件擺放和布局規(guī)則

旻旻旻：

SSD雖能抑制短路過壓，但若母線雜散電感較大，仍可能觸發(fā)VCE峰值過高

07-19 11:39 回復(fù)

原帖：雙通道SCALE-2+驅(qū)動核實現(xiàn)太陽能逆變器設(shè)計

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