好象不可能,體二極管是做管子時自動形成的,無法去掉

在mos內(nèi)部,參雜和襯底已經(jīng)形成了一個體二極管了

好象早期的MOS都是不帶體二極管的,只是后來生產(chǎn)工藝改進(jìn),而且實際應(yīng)用中又多數(shù)需要并二極管,才把這它封進(jìn)去的!但市場上很難找到不帶的!

的卻不可能的,可以串聯(lián)一個二極管.

我現(xiàn)在是這樣做的,就是串的管子太熱.加散熱片太占體積,也不好和其它機種兼容.所以最好的方案還是能買到那種管子!

體二極管是一定有的,可考慮用IGBT,如果電壓不高也可考慮串肖特基二極管.

不可能吧,還沒有聽說那二極管對電路有影響,除非是需要隔離的,那么可以采用雙mosfet串連,頭對頭的串連,可以達(dá)到效果的.

借題問個問題,
mosfet的體二極管的作用是什么?

體二極管在很多時候是多余的,而且是有害的,但MOSFET的工藝決定了這個的存在,所以不要想能找到一個沒有體二極管的MOSFET.

那是個寄生二極管,不是刻意作上去的所以是不可能去掉的.除非MOS管制造商開發(fā)出新的制造工藝.

一個PN結(jié)就是一個二級管.所有的半導(dǎo)體器件都存在PN結(jié),所以沒可能有沒有體二極管的半導(dǎo)體器件存在.只是說通過特殊的工藝來降低或強化它的作用.你說的應(yīng)該是所為的內(nèi)置二極管吧?就是單獨再做一個二極管和本身的MOS管并聯(lián)封裝在一起.

2顆MOS反向串聯(lián)即可.

？？？這個是什么意思？？有示意圖嗎？？？

用PNP的功率管不行嗎？