網(wǎng)上突然刷到一款來(lái)自TI的理想二極管，它損耗超低、發(fā)熱極小、壓降僅僅20mV，可用于替代傳統(tǒng)的肖特基二極管或MOSFET，來(lái)解決電源保護(hù)中的痛點(diǎn)。

下面來(lái)總結(jié)核心內(nèi)容：

1、傳統(tǒng)方案的痛點(diǎn)：肖特基二極管和MOS管的短板

肖特基二極管：

優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單便宜，能防電池反接、隔離故障電源。

缺點(diǎn)：電流大了壓降高（比如10A時(shí)壓降0.5V，發(fā)熱嚴(yán)重，得加散熱片）。高溫下漏電大，可能燒器件。

2、P溝道MOSFET

3、N溝道MOSFET

優(yōu)點(diǎn)：比肖特基二極管導(dǎo)通損耗低。

缺點(diǎn)：不能阻斷反向電流，需要額外電路防反向電流，復(fù)雜又占地方。

4、理想二極管的“黑科技”

TI的理想二極管控制器（如LM74700-Q1）本質(zhì)是一個(gè)“智能開(kāi)關(guān)”，通過(guò)驅(qū)動(dòng)外部MOSFET，模擬出接近理想的二極管特性：

超低壓降：最低僅20mV（傳統(tǒng)二極管的1/20），幾乎不發(fā)熱。

零反向漏電：檢測(cè)到反向電流時(shí)，0.75μs內(nèi)切斷。

自適應(yīng)調(diào)節(jié)：根據(jù)負(fù)載電流動(dòng)態(tài)調(diào)整MOSFET導(dǎo)通程度，像“智能水閥”自動(dòng)調(diào)節(jié)開(kāi)合。

工作原理：

1、正向?qū)?/span>：

當(dāng)電源正常供電時(shí)，控制器給MOSFET柵極充電，使其完全導(dǎo)通（壓降≈0）。

對(duì)比：傳統(tǒng)二極管靠PN結(jié)導(dǎo)通，天生有0.3V~0.7V壓降。

2、反向阻斷：

檢測(cè)到電流反向（如電池接反），立即拉低MOSFET柵極電壓，利用其體二極管阻斷電流。

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：傳統(tǒng)MOSFET方案需要電壓降到閾值（Vth）才關(guān)斷，而理想二極管靠比較器快速判斷，響應(yīng)快10倍。

電荷泵：為MOSFET柵極提供高壓驅(qū)動(dòng)，確保完全導(dǎo)通（即使輸入電壓低至3.2V）。

快速比較器：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電流方向，反向電流一出現(xiàn)立刻關(guān)斷（0.75μs延遲）。

理想二極管把傳統(tǒng)方案的壓降、發(fā)熱、速度問(wèn)題一次性解決。用TI的話說(shuō)：“像理想中的二極管一樣高效，但現(xiàn)實(shí)中真的存在。”