首先我們看一下一般的bldc驅動電路的基本電路架構如下圖所示

當IN輸入低電平時，HO輸出低電平，LO輸出高電平，上橋斷開，下橋導通；當IN輸入高電平，HO輸出高電平，VS輸出低電平，VB和HO內部是連在一起的。

Vcc=12V，VM=24V（即up to 600V處接24V），MOS管的一般開啟電壓值閾值Vth=4V。

第一階段：首先給IN和SD對應的控制信號，使HO和LO通過內部控制電路分別輸出低電平和高電平。此時外部H橋的高端MOS截止，低端MOS導通。VCC通過自舉二極管對自舉電容充電，使電容兩端的壓差為Vcc=12V（忽略自舉二極管兩端壓降）。

第二階段：目前市面上的blcd芯片基本都自帶死區(qū)控制，此階段由芯片內部自動產生，HO和LO輸出均為低電平，此時高低端MOS管均截止，如下圖所示為某款芯片的死區(qū)時間。

第三階段：通過IN和SD使左側的內部MOS管如下圖所示導通。由于自舉電容兩端的電壓不能突變，此時驅動芯片內部上管MOS打開，自舉電容上的電壓（12V）便可以加到外部高端MOS的柵極和源極上，使得外部高端MOS導通。外部高端MOS導通之后，此時高端MOS的源極對地電壓≈VM=24V，自舉電容兩端電壓12V，因此外部高端MOS柵極對地電壓≈VM+VCC=36V，因此高端MOS可以正常導通。

更加細節(jié)的展示

注意：因為此時電容在持續(xù)放電，壓差會逐漸減小。最后，電容正極對地電壓（即高端MOS柵極對地電壓）會降到Vcc，那么高端MOS的柵源電壓便≈Vcc-VM=12V-7.4V=4.6V < Vth=6V，高端MOS仍然會關斷。

因此想要使高端MOS連續(xù)導通，必須令自舉電容不斷充放電，即循環(huán)工作在上述的三個階段（高低端MOS處于輪流導通的狀態(tài)，控制信號輸入PWM即可），才能保證高端MOS導通。自舉二極管主要是用來當電容放電時，防止回流到VCC，損壞電路。

補充說明：在自舉電容選擇時，其耐壓值需大于Vcc并留有一定余量。而自舉電容的容值選擇需要一定的計算。一般來說，PWM的輸入頻率越大（即電容充放電頻率），電容所需容值越小。