核桃剛畢業(yè)的時(shí)候經(jīng)?？吹饺缦码娐罚?/p>
圖1
那時(shí)候也會(huì)疑惑，為什么單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS管還需要再加一個(gè)三極管？直接驅(qū)動(dòng)不行嗎？
那今天我們就來理一理！
我們以STM32為例，先看一下STM32的I/O輸出能力，如下圖2所示：
圖2
在之前的文章中我們有提到過MOS的米勒效應(yīng)問題，具體的文章可以戳這里：
要想減少米勒效應(yīng)就需要提高柵極驅(qū)動(dòng)電流，來縮短寄生電容的充放電時(shí)間，而STM32的驅(qū)動(dòng)能力如上圖2所示非常的小，這是其中的原因之一。
原因二：現(xiàn)在的MCU供電等級(jí)都是比較低，從1.8V~5V都有，而每個(gè)MOS管的Vgs(th)都不一樣，范圍2~3V左右，飽和電壓6~8V左右，對(duì)于3.3V的單片機(jī)來說，最高驅(qū)動(dòng)電壓只能到3.3V，如果直接驅(qū)動(dòng)MOS管，那很有可能會(huì)使MOS管處于半導(dǎo)通的狀態(tài)（恒流工作區(qū)），致使MOS的內(nèi)阻大，功耗高，發(fā)熱量大！
而加入三極管就會(huì)穩(wěn)妥很多，驅(qū)動(dòng)電壓一般在0.3~0.7V即可導(dǎo)通。再由三極管去驅(qū)動(dòng)MOS管，無論是電壓還是驅(qū)動(dòng)電流均能滿足要求。
當(dāng)然了，也不是說單片機(jī)的I/O不能直接驅(qū)動(dòng)MOS，只是MOS在選型時(shí)要注意，且可選種類不多，在低頻低功率場(chǎng)合下，直接I/O驅(qū)動(dòng)也是可行的。
總之，具體情況具體分析吧！設(shè)計(jì)時(shí)，擇優(yōu)而定即可！