先提出一個(gè)電源指標(biāo)需求：低噪聲、大電流（>=500mA）、高效率，這是一種很常見的設(shè)計(jì)需求，例如手機(jī)中高像素CAM的DVDD電源設(shè)計(jì)要求就是如此，DCDC電源和傳統(tǒng)的LDO（PMOS構(gòu)成）貌似都無法滿足這個(gè)需求。

這個(gè)時(shí)候就需要我們的超低壓差LDO（NMOS構(gòu)成）來完成這個(gè)艱巨的任務(wù)了。在了解超低壓差LDO和傳統(tǒng)LDO的區(qū)別前，我們先簡單了解一下PMOS和NMOS的特性差異：NMOS使用的載流子是電子，而PMOS采用的載流子是空穴，就這導(dǎo)致在相同的工藝尺寸下，NMOS的導(dǎo)通電阻更小，過流能力更強(qiáng)。我們都知道LDO是線性穩(wěn)壓器，其原理就是通過反饋電阻、誤差放大器等模塊，使內(nèi)部的MOS管工作在恒流區(qū)（即飽和區(qū)），如下圖所示，從而使輸出電壓保持穩(wěn)定。那么，損耗在MOS管上的功耗就為（Vin-Vout）*Iout。

因此，當(dāng)Iout非常大的時(shí)候，必須降低Vin和Vout間的壓差，來減小電源的損耗和發(fā)熱。

在手機(jī)、AR等便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中，LDO的封裝通常都是非常小的。傳統(tǒng)的PMOS管LDO的過流能力通常在300mA以下，且LDO的drop電壓通常也在百mV級(jí)別，無論是帶載能力、效率、熱耗，都無法滿足我們文章開頭提出的技術(shù)指標(biāo)。

我們?cè)僭敿?xì)研究一下NMOS管LDO的內(nèi)部框圖，其主要也是由MOS管、分壓電阻、參考電壓電路、誤差放大器構(gòu)成的一個(gè)負(fù)反饋回路。仔細(xì)觀察會(huì)發(fā)現(xiàn)其比PMOS LDO多一個(gè)BIAS pin，這是因?yàn)镹MOS管的導(dǎo)通需要Vgs電壓大于0，因此BIAS的電壓就需要比Vout電壓高，規(guī)格書中都會(huì)有明確標(biāo)注。

最后總結(jié)一下：超低壓差LDO（NMOS管構(gòu)成）相比傳統(tǒng)LDO（PMOS管構(gòu)成），其輸出電流更大，drop電壓更小，效率更高（得益于NMOS管的特性），通常用在對(duì)噪聲、帶載能力都有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。但兩者的內(nèi)部環(huán)路模塊基本一致，分析方法也相同。

大家知道有這樣一種特性的LDO就行，硬件工程師的一大能力就是隨時(shí)隨地都能有合適的器件和方案應(yīng)用到項(xiàng)目中去。

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