一、引言
DVC2108P8是南京集澈電子科技有限公司推出的一款4至8串支持高邊電池組監(jiān)控芯片，采用車(chē)規(guī)級(jí)高壓BCD工藝設(shè)計(jì)，適用于電動(dòng)工具、便攜儲(chǔ)能、UPS等應(yīng)用場(chǎng)景。其集成AFE（模擬前端）和MCU（微控制器）雙核架構(gòu)，支持電池電壓、電流、溫度的高精度測(cè)量及多重硬件保護(hù)功能。
本文將測(cè)試電壓、電流采集精度情況、低功耗等方面，為后續(xù)應(yīng)用提供參考，同時(shí)開(kāi)源DEMO全部文檔資料（詳細(xì)的PCB、原理圖、例程代碼、BOM清單等），拿來(lái)即用。 文末聯(lián)系代理商可免費(fèi)申請(qǐng)demo或芯片樣品測(cè)試。
二、樣機(jī)介紹
1.公布參數(shù)
2.原理圖
DVC2108P8低邊推薦原理圖
DVC2108P8高邊推薦原理圖
圖片清晰度受限，資料請(qǐng)找沛沛獲取。三樣機(jī)實(shí)測(cè)1.電流精度測(cè)試
| 測(cè)試方法
DEMO板電阻分壓模擬8串電池組，輸入電壓30V;負(fù)載1-10A恒流放電；記錄DEMO上位機(jī)采集的電流和實(shí)際電流。
| 測(cè)試結(jié)果
左右滑動(dòng)圖片，查看負(fù)載1-10A恒流放電時(shí)，采集電流和實(shí)際電流的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，注：測(cè)試時(shí)未使用電流校準(zhǔn)功能。
1A，DEMO 1.02A，實(shí)際0.997A
2A，DEMO 2.08A，實(shí)際2.00A
3A，DEMO 3.14A，實(shí)際3.00A
4A，DEMO 4.20A，實(shí)際4.00A
5A，DEMO 5.28A，實(shí)際4.99A
6A，DEMO 6.32A，實(shí)際5.99A
7A，DEMO 7.38A，實(shí)際7.00A
8A，DEMO 8.48A，實(shí)際8.00A
9A，DEMO 9.50A，實(shí)際9.00A
10A，DEMO 10.58A，實(shí)際10.00A
測(cè)試結(jié)論
相對(duì)誤差：2.3%~6.0%，略高于典型值（±1%），但未做校準(zhǔn)，偏差是常見(jiàn)問(wèn)題。DEMO在0.25mΩ采樣電阻條件下，未校準(zhǔn)時(shí)系統(tǒng)呈現(xiàn)+2.3%~+6.0%的正偏差，符合數(shù)據(jù)手冊(cè)標(biāo)稱的±200μV基礎(chǔ)誤差范圍（等效±0.8A@10A）。
應(yīng)用建議
0.25mΩ電流取樣電阻比較小，在10A以內(nèi)電流的應(yīng)用建議加大取樣電阻，使用1mΩ或者更大，啟用芯片內(nèi)部校準(zhǔn)功能。
校準(zhǔn)優(yōu)化建議
- 硬件校準(zhǔn)：通過(guò)調(diào)整CADC_GAIN 寄存器補(bǔ)償增益誤差。
- 軟件補(bǔ)償：實(shí)際項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中添加線性擬合公式（如真實(shí)電流= 0.947 × 測(cè)量值 - 0.05）。
- 啟用校準(zhǔn)后，誤差可降至±1% 以內(nèi)（參考手冊(cè) 4.1 節(jié)電氣特性）
2.電壓精度測(cè)試
| 測(cè)試方法
DEMO板電阻分壓模擬8串電池組，輸入電壓30V。使用萬(wàn)用表測(cè)量B1-B8板端電壓，記錄DEMO板上位機(jī)和板端測(cè)量的實(shí)際電壓。
| 測(cè)試結(jié)果
左右滑動(dòng)圖片，查看上位機(jī)電壓和B1-B8板端的電壓的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。
上位機(jī)電壓設(shè)置
測(cè)試結(jié)論
最大誤差±4mV（優(yōu)于標(biāo)稱±5mV），平均誤差3.5mV，完全滿足BMS應(yīng)用需求。
3.待機(jī)電流測(cè)試| 測(cè)試方法
輸入電壓30V到B+、B-，芯片默認(rèn)不開(kāi)啟狀態(tài)，記錄耗電電流。
| 測(cè)試結(jié)果
由于DEMO還有其它功耗電路，在不破壞DEMO的前提下沒(méi)有測(cè)試到真正休眠功耗，上電沒(méi)有配置芯片寄存器測(cè)試到的電流是5.5mA-5.6mA。
| 測(cè)試結(jié)論
整板待機(jī)電流5.5-5.6mA（含外圍電路），未測(cè)得芯片真實(shí)休眠電流，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，芯片休眠電流可參考規(guī)格書(shū)標(biāo)稱值（典型值60μA）。
注：規(guī)格書(shū)標(biāo)稱AFE休眠模式功耗約60μA（需寄存器配置進(jìn)入）
方案亮點(diǎn)- 高邊架構(gòu)設(shè)計(jì)：
集成高邊充放電驅(qū)動(dòng)（CHG/DSG），支持NFET 驅(qū)動(dòng)，可直接控制電池組的高邊開(kāi)關(guān)，避免傳統(tǒng)低邊方案的地參考問(wèn)題。
內(nèi)置電荷泵（Charge Pump），提供6~12V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓，確保高邊MOS 管可靠導(dǎo)通。
- AFE + MCU 雙核集成：
AFE（模擬前端）：負(fù)責(zé)電池電壓、電流、溫度的高精度采集，支持硬件保護(hù)（OV/UV/OCD/SCD）。
MCU（ARM Cortex-M0+）：72MHz 主頻，64KB Flash + 8KB SRAM，可運(yùn)行BMS 算法，減少外置MCU 需求。
- 車(chē)規(guī)級(jí)工藝：
采用高壓 BCD 工藝，耐壓達(dá)132V，支持-40℃~85℃工作溫度，適用于嚴(yán)苛環(huán)境。
四、測(cè)試儀器本次測(cè)試過(guò)程中所使用的測(cè)試儀器如下：
這是一款由電源網(wǎng)·星球測(cè)評(píng)研發(fā)的儀器助手功率采集器，用于采集直流和交流電壓、電流、功率、PF值、頻率，還有無(wú)線通訊功能，可以和電腦進(jìn)行連接，電腦端軟件能幫助工程師實(shí)現(xiàn)各種測(cè)試數(shù)據(jù)分析，轉(zhuǎn)換效率、充放電曲線，電流曲線，功率曲線，電壓曲線等功能，是電子工程師的理想測(cè)試工具。
Fluke 18B+ 是一款經(jīng)濟(jì)實(shí)用的基礎(chǔ)數(shù)字萬(wàn)用表，具備基本電壓、電流、電阻、通斷測(cè)試等功能，測(cè)量可靠，性價(jià)比高。
五、技術(shù)資料本DEMO所含全部技術(shù)資料（包括原理圖、BOM清單、PCB Layout、芯片應(yīng)用手冊(cè)等）已開(kāi)源，這些開(kāi)源資料能幫助廣大工程師朋友快速上手，大幅縮短開(kāi)發(fā)周期。如果您需要可以和我們聯(lián)系。
本文測(cè)試過(guò)程中用到的InstruHelper儀器助手測(cè)試工具已開(kāi)啟預(yù)售，如有需要的工程師請(qǐng)聯(lián)系星球測(cè)評(píng)客服專員--沛沛（微信號(hào)：XQCP_01），數(shù)量有限，先到先得。
?你做的BMS項(xiàng)目中用低邊控制的多還是高邊控制的多？什么情況下會(huì)用到高邊控制？歡迎在評(píng)論區(qū)說(shuō)說(shuō)！
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