大家好，我是硬件微講堂。這是我的第34篇原創(chuàng)文章。

上周給出了三個錦囊，助力大家快速鎖定關(guān)鍵參數(shù)。

《選擇三極管時應(yīng)重點關(guān)注哪些參數(shù)？(1)》（點擊鏈接，可直接訪問）

本期，就跟大家聊聊這幾個關(guān)鍵參數(shù)，加深下理解。為了保證單篇文章的可閱讀性，常規(guī)套路還是走一遍。

1、一道面試題

照例，先拋出來一道面試題：我們在選擇三極管時應(yīng)重點關(guān)注哪些參數(shù)？這道題，比較偏基礎(chǔ)應(yīng)用，考察應(yīng)屆生的基礎(chǔ)最合適不過，所以面試中標(biāo)率很高。回答這個問題，不需要花哨的邏輯和技巧，只需要把積累的知道倒出來即可。但是如果你能稍微拓展一下，可能會讓面試官眼前一亮。

2、最關(guān)鍵的兩個參數(shù)

我們隨機(jī)找到一份3904的Datasheet，根據(jù)前文第三個錦囊，可以看到“Features”和“Quick Reference Data”里面明確寫到Ic和Vceo。說明這兩個參數(shù)，是我們首先最應(yīng)該關(guān)注的參數(shù)。

Ic，上圖體現(xiàn)的是max值，有的規(guī)格書直接記作Icm，集電極最大允許電流。值得注意的是，當(dāng)工作電流ic超過Icm時，并不是說三極管就立即燒壞，而是β值將會減小。當(dāng)β值過小時，放大能力就變得很差。

Vceo：基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。這個電壓值和三極管的穿透電流Iceo強相關(guān)。當(dāng)外部提供的Vce超過Vceo，使得Iceo明顯增大，會導(dǎo)致集電結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿的現(xiàn)象。

3、第三個關(guān)鍵參數(shù)

第三個關(guān)鍵參數(shù)，小伙伴肯定會說是hfe(放大倍數(shù))。我認(rèn)為，還真不是。我們首先得保證三極管能穩(wěn)定工作，不損壞，然后再談放大倍數(shù)。所以，第三個參數(shù)應(yīng)該是和穩(wěn)定工作相關(guān)的。

Ptot，有的規(guī)格書記作Pd：power dissipation，耗散功率。在三極管內(nèi)，兩個PN結(jié)上都會消耗功率，數(shù)值上可以簡單計為：

Pd=Ic*Vce+Ib*Vbe

其中，由于Ib*Vbe很小，往往比Ic*Vce小很多，通常忽略不計。所以就有了Pd可以簡單理解為Pcm：集電極最大允許耗散功率。

Pcm=Ic*Vce

當(dāng)三極管上的耗散功率超過Pcm，會伴隨有明顯發(fā)熱，三極管性能下降，甚至?xí)龎摹榱吮ＷC三極管能穩(wěn)定工作，就要求Pc(=ic*uce)不能超出Pcm。

4、安全工作區(qū)SOA

為什么說這三個參數(shù)很關(guān)鍵呢？

這里有一個概念，估計很多小伙伴沒太在意，甚至壓根不知道。因為這三個參數(shù)共同構(gòu)成了三極管BJT的安全工作區(qū)SOA：Safe Operating Area。如下圖所示：

①集電極電流ic<Icm；

②集電極-發(fā)射極間的工作電壓vce<Vceo；

③集電極耗散功率<Pcm。

這三條曲線，共同圍成的一片區(qū)域即為BJT的安全工作區(qū)。

(圖片來自于“一只大老鐵”CSDN博客)

上面說了那么多，也都是基于理論的分析，那真實的BJT SOA是啥樣的呢？

不夸張講，應(yīng)該有相當(dāng)一部分小伙伴沒見過實際的BJT安全工作區(qū)是怎樣的。

其實，現(xiàn)在很多三極管規(guī)格書沒有SOA曲線，需要單獨索要才會提供。只有一些老牌的大廠還保留著給出SOA曲線的習(xí)慣。下圖為Onsemi的MMBT3904L的Datasheet截圖：

5、總 結(jié)

今天討論的內(nèi)容先到這里，簡單總結(jié)下討論的內(nèi)容：

①前兩個關(guān)鍵參數(shù)：Icm，Vceo；

②第三個關(guān)鍵參數(shù)及相應(yīng)的計算公式：Pcm；

③三極管的安全工作區(qū)SOA；

④三極管的實際SOA展示和解析。

怎么樣？一個簡短的問題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開天門，就看你的造化了！

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