根據第一章節反激拓撲1—反激電路的由來最后演變而來的反激拓撲，將開關S更換為產品開發過程中常用的MOSFET

1、反激電源的分類，根據其電流的連續性分為CCM（連續工作模式）、CRM（臨界工作模式）、DCM（斷續工作模式）三種，根據我開關頻率f可以分為固定頻率模式和變頻模式

理想狀態下，CCM、CRM和DCM三種工作模式的驅動波形、MOSFET電壓Vds和原副邊電流波形如下：

記得剛開始接觸反激時，一直以為反激就是斷續模式，因為不管看原邊電流還是副邊電流，確實時斷續的，當了解了反激電源的演變過程，就發現不能只看其中一側的電流去判斷，區分三種模式最明顯的方法就是電流，CCM模式最容易識別，在開關管開通瞬間，原邊或者副邊的電流波形不為0即為連續模式，想要比較清楚的區分CRM和DCM模式，就需要同時把原副邊的電流波形測量出來進行對比了。2、CCM工作模式分析（CRM模式可以看做是勵磁電感直流分量電流為0時的CCM模式）CCM模式下，一個周期T=ton+toff①在MOSFET導通過程中，即0-ton階段變壓器原邊繞組與輸入電源連接，原邊繞組儲存能量，且Vp=Vin，根據變壓器原理，其副邊繞組電壓Vs=Ns*Vin/Np，二極管D反向截止，Is=0根據Vin*△t=Lp*△Ip，△Ip=Vin*ton/Lp②在MOSFET斷開過程中，即toff階段變壓器原邊工作結束，ton階段儲存在電感Lp中的能量通過副邊Ls進行釋放，Vs=Vd+Vout，根據變壓器的原理，在原邊繞組上會感生出一個電壓VOR=Np*Vs/Ns，該電壓通常被稱為反射電壓，而MOSFET所承受的電壓VDS=Vin+VOR

圖1 MOSFET導通過程

圖2 MOSFET斷開過程

②DCM模式分析DCM模式與CCM模式基本原理相同，差異在于DCM模式一個周期的時間T＞ton+toff，T-（ton+toff）的時間段內，變壓器副邊電流Is=0，Vs=0，所以原邊繞組不存在反射電壓VOR，MOSFET的電壓VDS=Vin。以上分析均為理想條件下的分析，實際應用時，由于變壓器不可避免的存在漏感等寄生參數，會對實際的工作過程產生比較大的影響。