本節(jié)分享一篇關(guān)于GaN器件驅(qū)動(dòng)的論文。

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最近兩年關(guān)于第三代半導(dǎo)體、寬禁帶半導(dǎo)體、GaN/SiC之類的關(guān)鍵詞出現(xiàn)的非常平凡，如今電力電子技術(shù)的瓶頸還是在器件，這也是現(xiàn)在研究的焦點(diǎn)。

半導(dǎo)體材料出現(xiàn)了第三代以氮化鎵（ GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其特點(diǎn)包括臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子速度高、電子密度高、電子遷移率高及導(dǎo)熱率高等，是一種適用于高頻、高壓、高溫、大功率的抗輻射等級(jí)高的半導(dǎo)體材料。但是誰又真真正正的了解該種材料的器件特性呢？帶著好奇，便搜索了大量論文來查閱。

文中提出了一種諧振驅(qū)動(dòng)GaN電路，并給出了詳細(xì)的分析過程，下面我們就來仔細(xì)研讀。

首先發(fā)現(xiàn)問題，提出解決方法。

其次對(duì)實(shí)現(xiàn)方法做出了詳細(xì)描述。

最后以Buck變換器驗(yàn)證了方法的可行性與優(yōu)越性。實(shí)驗(yàn)過程可以詳細(xì)閱讀文獻(xiàn)。這里不再贅述。

參考文獻(xiàn)

[1] 低壓氮化鎵器件諧振驅(qū)動(dòng)技術(shù)及其反向?qū)ㄌ匦?/p>

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